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光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)
光刻机又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统,紫外曝光机等。ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商,多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。
光学薄膜测厚仪
薄膜表面或界面的反射光会与从基底的反射光相干涉,干涉的发生与膜厚及折光系数等有关,因此可通过计算得到薄膜的厚度。光干涉法是一种无损、精确且快速的光学薄膜厚度测量技术,我们的薄膜测量系统采用光干涉原理测量薄膜厚度。
该产品是一款价格适中、功能强大的膜厚测量仪器。近几年,每年的全球销售量都超过200台。根据型号不同,测量范围可以从10nm到250um,它最高可以同时测量4个膜层中的3个膜层厚度(其中一层为基底材料)。该产品可应用于在线膜厚测量,测氧化物、SiNx、感光保护膜和半导体膜,也可以用来测量镀在钢、铝、铜、陶瓷和塑料等上的粗糙膜层。
扫描开尔文探针
开尔文探针(Kelvin Probe)是一种非接触无损震荡电容装置,用于测量导体材料的功函数(Work Function)或半导体、绝缘表面的表面势(Surface Potential)。材料表面的功函数通常由最上层的1-3层原子或分子决定,所以开尔文探针是一种最灵敏的表面分析技术。主要型号:KP020 (单点开尔文探针),SKP5050(扫描开尔文探针)。
WEP CVP21电化学C-V剖面浓度测量仪
德国WEP公司的CVP21电化学C-V剖面浓度测试仪可高效、准确的测量半导体材料(结构,层)中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀,从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。
电化学ECV剖面浓度测试仪主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。CVP21电化学C-V剖面浓度测量仪适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上,例如:硅、锗、III-V族化合物半导体(如GaN)。
金刚石划片机 (Diamond Scriber)
德国尤尼坦RV系列金刚石手动划片机(Diamond Scriber),适用于陶瓷、玻璃、半导体晶圆等多种材料划片。主要型号包括:精确手动晶圆划片机RV-129,低成本手动划片机RV-126等。
半自动球焊机/锲焊机 (Wire Bonder)
Wire Bonding是微电子及半导体器件的常用工艺,WB-200半自动焊线机可进行球焊、锲焊、跳焊(Pump)等焊线工艺。
真空共晶炉
德国尤尼坦真空共晶炉、烧结炉,紧凑台式设计,可在氮气/甲酸等氛围操作,广泛用于激光、射频电路、功率器件等微电子光电子行业的晶粒贴装,以及金-硅合金,密集焊接和回流共晶。
RTP-1200快速退火炉
韩国Ecopia公司生产,最大样品尺寸:15mm X 20mm。RTP-1200特点:使用单相电,普通照明电即可使用;风冷设计、无须采购冷水机;真空退火,可以使用氢氮混合气(<10%比例氢气)。
RTP-100快速退火炉
德国优尼坦公司生产,最大样品尺寸:4英寸晶圆或者100mm x 100mm尺寸样品,RTP-100支持惰性气体保护、低真空或高真空快速热处理。
RTP-150快速退火炉
德国优尼坦公司生产,最大样品尺寸:6英寸晶圆或者156mm x 156mm尺寸样品,RTP-150可以支持惰性气体保护、低真空或高真空快速热处理。
VPO-300快速退火炉
德国优尼坦公司生产,最大样品尺寸:12英寸晶圆或300mm x 300mm尺寸样品,VPO-300支持惰性气体保护、低真空、或高真空快速热处理。
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