薄膜表面或界面的反射光会与从基底的反射光相干涉，干涉的发生与膜厚及折光系数等有关，因此可通过计算得到薄膜的厚度。光干涉法是一种无损、精确且快速的光学薄膜厚度测量技术，我们的薄膜测量系统采用光干涉原理测量薄膜厚度。 该产品是一款价格适中、功能强大的膜厚测量仪器。近几年，每年的全球销售量都超过200台。根据型号不同，测量范围可以从10nm到250um，它最高可以同时测量4个膜层中的3个膜层厚度（其中一层为基底材料）。该产品可应用于在线膜厚测量，测氧化物、SiNx、感光保护膜和半导体膜，也可以用来测量镀在钢、铝、铜、陶瓷和塑料等上的粗糙膜层。

开尔文探针(Kelvin Probe)是一种非接触无损震荡电容装置，用于测量导体材料的功函数(Work Function)或半导体、绝缘表面的表面势(Surface Potential)。材料表面的功函数通常由最上层的1-3层原子或分子决定，所以开尔文探针是一种最灵敏的表面分析技术。主要型号：KP020 (单点开尔文探针)，SKP5050(扫描开尔文探针)。

德国WEP公司的CVP21电化学C-V剖面浓度测试仪可高效、准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。 电化学ECV剖面浓度测试仪主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。CVP21电化学C-V剖面浓度测量仪适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，例如：硅、锗、III-V族化合物半导体(如GaN)。