我今天想与大家分享的是光刻机的光刻原理。 你想知道吗？

      光刻机是半导体芯片生产过程中复杂，关键的工艺步骤，既耗时又昂贵。 半导体芯片生产的困难和关键是将电路图从掩膜转移到硅晶片。 该过程通过光刻来实现。 光刻机的工艺水平直接决定了芯片的工艺水平和性能水平。 芯片在生产过程中需要20至30倍的光刻工艺，这大约占IC生产环节的50％和芯片生产成本的1/3。

       光刻机的工艺流程是什么？ 光刻机技术分为两个基本过程：正光刻和负光刻。 区别在于两者中使用的光刻胶类型。 负型光刻中使用的光致抗蚀剂在曝光后会由于交联而变得不溶，并且会硬化并且不会被溶剂冲洗掉，因此硅晶片的这一部分将不会在后续工艺中被腐蚀掉。 光致抗蚀剂上的图案与掩模版上的图案相反。

       在完成光刻之后，蚀刻未被光致抗蚀剂保护的硅晶片的一部分，并洗去剩余的光致抗蚀剂，从而实现了半导体器件在硅晶片表面上的构造过程。

       光刻机的原理是在硅晶片的表面上覆盖一层高度感光的光刻胶，然后使用光（通常是紫外光，深紫外光）通过硅片表面照射硅晶片的表面。 掩模和光线照射的光致抗蚀剂会发生反应。 之后，用特定的溶剂洗去被辐照/未辐照的光刻胶，并将电路图从掩模转移到硅晶片上。

        以上是对光刻机的光刻原理介绍，希望对您有所帮助。