原子层沉积系统具有热ALD沉积氧化物、氮化物、贵金属等薄膜材料的功能；具有等离子体增强ALD和未来负荷锁定装置扩展的功能。反应室壁的加热温度不应低于300℃；该反应室可适应8英寸及以下平面基板上薄膜材料的沉积，对基板形状无严格要求，基板加热温度可达500℃。

     原子层沉积(ALD)是一种沉积原子薄膜的技术，它以连续脉冲方式在样品表面和反应前驱体材料之间发生化学反应。与传统的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术相比，沉积速率相对较慢，但可以在高深宽比的沟槽和通孔上沉积均匀的薄膜。此外，在原子层沉积过程中，样品表面没有物理和电损伤，但由于过程中的离子轰击，这种损伤是不可避免的。此外，各种薄膜(氧化物、氟化物、氮化物、金属等。)可以通过使用不同的反应材料来沉积。

     由于原子层沉积技术的表面反应是自限制的，重复这种自限制可以制备出厚度准确的材料，具有良好的台阶覆盖率和大面积厚度均匀性。连续生长使纳米薄膜材料无针孔，密度高。由于表面饱和化学吸附和自限制反应机理，ALD具有以下优点:

     1.通过控制循环次数，可以准确控制膜厚。

     2.由于表面饱和机制，不需要控制前驱体流动的均匀性。

     3.原子层沉积系统可以生产出均匀性高的薄膜。

     4.高纵横比的突出阶梯覆盖率。