1、驱动电路：由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为+UG=15V±10%，—UG =5~10V。栅极电阻与IGBT的开通和关断特性密切相关，RG小时开关损耗减少，开关时间缩短，关断脉冲电压增大。应根据浪涌电压和开关损耗的最佳折衷关系(与频率有关)选择合适的RG值，一般选为10~27Ω。为防止栅极开路，在栅极与发射极问并联20~30kΩ的电阻。

　　2、保护电路： IGBT模块使用在高频时，布线电感容易产生尖峰电压，必须注意布线电感和组件的配置。应设的保护项目有：过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、安全工作区、过热保护。

　　3、吸收电路：由于IGBT开关速度快，容易产生浪涌电压，所以必须设有浪涌钳位电路。

　　4、IGBT 并联使用时应考虑栅极电路的线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。